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打造全球领先的碳化硅半导体材料企业
瞄准攻关功率器件领域关键核心技术, 创新赋能中国半导体产业发展
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产业布局
导电型碳化硅衬底
第三代半导体材料
SuperSiC掌握行业领先的6-8英寸碳化硅晶体生长技术,具备自主可控的大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术
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发展历史
2014
公司成立于2014年,是国内领先的碳化硅材料和LED基板材料制造高新技术企业。
2017
2017年启动碳化硅晶体研发项目,同年完成4英寸导电型碳化硅晶体开发。
2019
2019年完成6英寸导电型碳化硅晶体开发。
2020
2020年组建6英寸碳化硅研发线,包括长晶炉、切割、磨抛设备等;
2021
建成6英寸碳化硅晶体生长、切磨抛、清洗检测生产线;开始小批量出货。
2022
2022年8月完成8英寸导电型碳化硅晶体开发,2022年底完成8英寸导电型碳化硅衬底片开发。
2023
8英寸晶体迭代和8英寸晶片小批量生产
2024
8英寸晶片批量生产和出货
2014
公司成立
2017
4英寸SiC晶体开发成功
2019
6英寸SiC晶体开发成功
2020
组建中试线
2021
达产、供货
2022
8英寸完成突破
2023
8英寸晶体迭代与小批量生产
2024
8英寸批量生产